| Хита Урала. Клуб общения http://xn--l1adgmc.xn--h1aagkyq.xn--p1ai/ |
|
| Сконструирован транзистор на молибдените http://xn--l1adgmc.xn--h1aagkyq.xn--p1ai/viewtopic.php?f=22&t=1153 |
Страница 1 из 1 |
| Автор: | А.В.С. [ 01 фев 2011, 01:06 ] |
| Заголовок сообщения: | Сконструирован транзистор на молибдените |
Сконструирован транзистор на молибдените http://science.compulenta.ru/590667/?r1=yandex&r2=news Швейцарские инженеры из Федеральной политехнической школы Лозанны изготовили полевой транзистор с использованием одиночного слоя молибденита. Сейчас самым перспективным «двумерным» материалом электроники считается графен, обеспечивающий высокую подвижность носителей заряда. Учёные мгновенно оценили его потенциал, и новые варианты графеновых транзисторов, среди которых встречаются, к примеру, рекордно быстрые, появляются очень часто. У «чистого» графена, правда, есть один существенный недостаток: он не имеет запрещённой зоны. Способы её формирования известны, но дополнительные операции усложняют изготовление транзисторов. Молибденит — довольно распространённый минерал, сульфид молибдена MoS2 — обычно используется как компонент смазок. Монослои MoS2 в экспериментах демонстрировали запрещённую зону шириной в 1,8 эВ, однако зарегистрированная подвижность носителей заряда (0,5–3,0 см2•В-1•с-1) оказалась слишком мала для применения в электронике. В своём транзисторе авторы использовали в качестве диэлектрика затвора оксид гафния HfO2, который имеет высокое значение диэлектрической проницаемости. Опыты показали, что при комнатной температуре подвижность носителей поднимается как минимум до 200 см2•В-1•с-1, что сравнимо с показателями графеновых нанолент. Измеренное отношение токов в открытом и закрытом состоянии составило около 10 в 8 степени. |
|
| Страница 1 из 1 | Часовой пояс: UTC + 5 часов |
| Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group http://www.phpbb.com/ |
|